«Переключатель» для мультиферроика поможет создать устройства магнитной памяти

Ученые показали, что воздействие фемтосекундным лазерным импульсом позволяет изменять направление намагниченности синтетического мультиферроика. Этот эффект может оказаться полезен при создании устройств магнитной памяти нового поколения.